Grüne Power für die Zukunft: AT&S revolutioniert E-Mobilität

Der Traum vom Elektroauto, das in zehn Minuten vollständig geladen ist und dann 1000 Kilometer Reichweite liefert, ist nicht länger unrealistisch. Moderne Akkus, Schnell-Ladestationen mit entsprechender Leistung und effiziente Elektronik auf Halbleiterbasis, um die hohen Spannungen und Stromstärken zu managen, haben in den vergangenen Jahren dafür gesorgt, dass Elektroautos auch in Sachen Reisekomfort immer konkurrenzfähiger geworden sind. Um hier weitere Verbesserungen zu erzielen, sind allerdings grundlegende Veränderungen an der Leistungselektronik erforderlich.

„Der Wechselstrom aus dem Netz wird mit Umrichtern in Gleichstrom verwandelt, der in den Akkus gespeichert werden kann. Je höher die elektrische Leistung ist, die das System aufnehmen kann, desto schneller kann ich ein E-Auto laden. Das erfordert aber Leistungselektronik, die mit hohen Stromstärken und Spannungen umgehen kann. Derzeitige Umrichter nutzen Halbleiterschaltungen, die mit Drahtbonding-Technologie angeschlossen werden, deren Lebensdauer sinkt, wenn die geforderten Leistungen weiter steigen. Wir haben Lösungen entwickelt, die es den Automobilherstellern erlauben, die nächsten Generationen ihrer Schnell-Ladetechnologien zu verwirklichen“, sagt AT&S-CTO Peter Griehsnig.

Leichter, widerstandsfähiger und grüner

AT&S kombiniert alternative Halbleitermaterialien wie Galliumnitrid und Siliziumkarbid mit innovativer Power-Embedding-Technologie, um Schalter für Umrichter zu produzieren, die kleiner, langlebiger und effizienter sind als bestehende Modelle. „Unsere eingebetteten Halbleiterchips vertragen bis zu 1500 Volt und bis zu 200 Ampere. Umrichter mit unserer Embedding-Technologie brauchen weniger Platz, sparen Gewicht und sind flexibel im Design. Zahlreiche Autohersteller zeigen deshalb bereits Interesse und arbeiten mit uns in mehreren EU-Forschungsprojekten wie „HiEfficient“ und “HiPower 5.0” an zukünftigen Entwicklungen“, erklärt Mike Morianz, Program Manager bei AT&S.

Module mit Halbleitern aus Galliumnitrid und Siliziumkarbid werden derzeit mit Drahtbonding-Technologie hergestellt. AT&S schafft es mit seinem Power Embedding, mehrere Halbleiterchips parallel mit Microvia-Verbindungstechnologie und Sinterlaminierung nach vorgegebenen Designs einzubetten. „Dadurch lassen sich Effizienz und Zuverlässigkeit deutlich steigern. Die Verluste sind geringer, die Lösung nimmt nur halb so viel Platz in Anspruch und überdauert im Vergleich zu herkömmlicher Technologie zehnmal so viele Schaltzyklen“, sagt Morianz.

Nicht nur in Elektroautos werden Reichweite und Schnell-Ladetechniken immer wichtiger. In Skandinavien werden derzeit bereits akkubetriebene Fähren getestet, die innerhalb der kurzen Anlegezeiten in nur wenigen Minuten geladen werden können. Auch in diesem Bereich kann AT&S Partnern helfen, die Verkehrs- und Transportinfrastruktur von morgen langlebiger und nachhaltiger zu gestalten.

AT&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft – Advanced Technologies & Solutions

AT&S ist ein weltweit führender Hersteller von hochwertigen IC-Substraten und Leiterplatten sowie Entwickler zukunftsweisender Verbindungstechnologien für die Kernbereiche Mobile Endgeräte, Automotive & Aerospace, Industrial, Medical und Hochleistungscomputing für VR- und KI-Anwendungen. AT&S verfügt über eine globale Präsenz mit Produktionsstandorten in Österreich (Leoben, Fehring) sowie Werken in Indien (Nanjangud) und China (Shanghai, Chongqing). In Malaysia (Kulim) wurde eine neue High-End-Produktionsstätte für IC-Substrate in Betrieb genommen, Anfang 2025 startete die Großserienfertigung. In Leoben errichtete AT&S Europas erstes Kompetenzzentrum für R&D und IC-Substrat-Produktion, dieses wurde im Juni 2025 eröffnet. Das Unternehmen beschäftigt weltweit etwa 13.000 Mitarbeiter:innen. Weitere Infos auch unter www.ats.net